台灣超微光學－光譜儀驅動半導體檢測技術全面升級

在半導體產業中，製程精度直接決定產品良率。隨著製程節點持續微縮，薄膜厚度、材料組成與製程均勻性即使出現奈米等級的微小變化，都可能對晶片效能造成顯著影響。為因應先進製程需求，產線檢測設備必須同時具備高精度、高速度與高穩定性的規格，並能無縫整合至量產環境。

OtO Photonics 台灣超微光學針對半導體製造需求，提供涵蓋 UV、VIS 與 NIR 180-2500nm波段的高效能光譜儀產品線，可支援各製程階段的快速、非破壞性檢測，廣泛應用於薄膜量測、光學臨界尺寸（OCD）量測, 材料分析與即時製程監控。

現代半導體元件採用多層結構設計，對量測系統的訊噪比、光譜解析度與長期穩定性提出更高要求。OtO 光譜儀內建高穩定光學架構，能滿足氧化層、氮化層、光阻、矽基材料、III-V 化合物半導體以及先進高分子鍍膜的分析需求。

產品涵蓋：

• • UV–VIS 機型，適用於氧化層與光阻特性量測
  • NIR 與延伸 NIR 機型，支援矽、III-V 材料與高分子鍍膜分析
  • 超寬波長範圍，覆蓋 180–2500 nm

SideWinder、MeGrez-NIR、SmartEngine、HummingBird 與 PhekDa-NIR 等系列，已被應用於薄膜厚度量測、折射率分析與材料驗證等關鍵製程。


▶ 全波段光譜量測·驅動半導體關鍵製程

半導體晶圓廠環境中，溫度、濕度與震動變化頻繁，對量測設備的穩定性是一大考驗。OtO Photonics 光譜儀透過超高溫度穩定性設計、專利雜散光校正技術，以及 TEC 冷卻 CCD 與 InGaAs 偵測器，大幅降低環境因素對量測結果的影響，有助於減少重新校正次數並提升數據一致性。

隨著晶圓廠朝向即時監控與閉迴路製程控制發展，量測速度已成為關鍵指標。OtO 光譜儀採用高速 CMOS 與 InGaAs 感測器，適合於製程線上（In-line）與設備端（At-tool）應用，可用於電漿與沉積終點監控、薄膜反射量測、晶圓分類、表面缺陷檢測及光阻製程控制等場景。
搭配多重曝光、觸發機制、像素合併與 USB / UART 通訊介面，協助設備商與系統整合商快速開發符合產線節拍需求的檢測方案。

OtO Photonics 提供從可攜式裝置到高解析實驗室系統的完整平台，並支援狹縫、光柵、感測器、冷卻方式與韌體等客製化選項，能滿足研發、量產與 OEM 整合的多元需求。
隨著先進封裝、新材料與新製程持續導入，光譜式檢測在半導體製造中的重要性日益提升。OtO Photonics 透過穩定、高速且具高度彈性的光譜解決方案，協助產業提升良率、強化品質控管，並加速新技術的導入與落地。